Один из ведущих мировых поставщиков оперативной памяти компания Samsung
Electronics приступила к массовому производству анонсированной ранее
памяти Green DDR3 DRAM, обладающей плотностью 2 Гбит. Причем, при
изготовлении данной памяти южнокорейский электронный гигант использует
технологические нормы 30 нм класса.
Благодаря своей
производительности и энергоэффективности новая память Green DDR3 DRAM с
плотностью 2 Гбит от Samsung вполне может найти применение в серверных
системах следующего поколения, оптимизированных для "облачных”
вычислений и решения задач, связанных с виртуализацией.
Отметим,
что при напряжении питания 1,35 вольта память Green DDR3 DRAM с
плотностью 2 Гбит способна работать на частоте 1866 МГц, а при
аналогичном показателе в 1,5 вольта – на частоте 2133 МГц. Подобные
характеристики делают данную память пригодной для использования не
только в серверах, но и в широком спектре настольных компьютеров,
ноутбуков, нетбуков и мобильных устройств. Кроме того, в планах Samsung
значится выпуск к концу текущего года памяти DDR3 DRAM плотностью 4 Гбит
с использованием той же 30 нм технологии.
|