Главная » 2010 » Июнь » 18 » Samsung разрабатывает 512 Гб SSD на базе NAND с асинхронным интерфейсом DDR
07:48
Samsung разрабатывает 512 Гб SSD на базе NAND с асинхронным интерфейсом DDR
Компания Samsung Electronics объявила о предстоящем выпуске своего
первого SSD накопителя, построенного на базе NAND памяти с асинхронным
интерфейсом DDR (так называемая технология Toggle-mode DDR NAND). Данная
методика, позволяющая заметно повысить скорость чтения и записи данных,
начала применяться южнокорейским IT гигантом еще в конце прошлого года,
однако до сих пор подобная NAND память поставлялась лишь сторонним
производителям. Сферой применения нового твердотельного диска Samsung, емкость которого
достигает 512 Гб, называются высококлассные ноутбуки и настольные
компьютеры, что позволит значительно увеличить их производительность.
Что касается самого SSD накопителя, он оборудован интерфейсом
подключения SATA 3.0 Gbps, а в качестве основы для данного продукта
выступают чипы NAND памяти 30 нм класса с плотностью 32 Гбит.
Функциональность
SSD накопителя Samsung также включает опцию 256-битного AES шифрования и
поддержку команд TRIM в Windows 7, что позволяет увеличить рабочий
ресурс твердотельного диска. При этом, максимальная последовательная
скорость чтения и записи информации у него составляет 250 и 220 Мб/с
соответственно. Добавим, что массовое производство этого интересного
решения должно начаться в следующем месяце.
