Intel и Micron сообщили о разработке 20-нанометровой технологии производства микросхем флеш-памяти  NAND, выполненных по методике многоуровневых ячеек (MLC).

Компании готовы наладить выпуск 20-нанометровых микрочипов флеш памяти ёмкостью 8 Гб. Сообщается, что такие изделия имеют площадь 118 мм², что примерно на 30–40% меньше, чем у 25-нанометровых микросхем того же объёма. При этом по производительности новые чипы флеш памяти не уступают выпускающимся сейчас решениям.

Intel и Micron уже начали поставки пробных образцов 20-нанометровых NAND-микрочипов, а массовое производство флеш памяти намечено на вторую половину текущего года. Ожидается, что к тому времени компании подготовят микросхемы объёмом 16 Гб.

Новые чипы флеш памяти найдут применение прежде всего в портативных устройствах, в частности смартфонах и планшетных компьютерах. Уменьшение размеров микросхем позволит использовать высвободившееся внутреннее пространство гаджетов под другие нужды — к примеру, установку аккумуляторных батарей более высокой ёмкости.

источник chip.com.ua